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新型照明增长,LED芯片原材料镓和铟金属受益

2014/1/4 19:56:16      点击:

LED是发光二极管(Light Emitting Diode)的英文缩写,它是利用固体半导体芯片作为发光材料的一种半导体电子元件,被誉为“21世纪新固体光源时代的革命性技术”。相比白炽灯、节能灯等传统照明产品而言,其节能、环保、寿命长、瞬时启动、高显色等优点得到了全世界的普遍认可。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度,还是从减少环境污染的角度,LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力,各国也掀起了推广LED照明的浪潮。

  日本、美国、欧盟、韩国等国相继推出国家半导体照明计划,早在1998年日本就率先展开“21世纪照明”计划,美国联邦政府在2002年也启动了“国家半导体照明研究计划”即“下一代照明计划(NGLl)”,力推LED照明。欧盟的“彩虹计划”也2000年7月启动,委托6个大公司、2所大学,通过欧盟的补助金来推广白光发光二极管的应用欧。同时韩国在2004-2008年也投入1亿美元,实施“固态照明计划”。中国也在2012年印发了《半导体照明科技发展“十二五”专项规划》,提出到“十二五”末发光二极管(LED)在通用照明市场占有率达到30%,形成5000亿元产业规模的目标。

  刚刚过去的2013年是我国LED行业快速发展的一年,根据CSA产研部的统计,2013年我国半导体照明应用领域的整体规模已经达2068亿元,同比增长36%。其中通用照明市场产值696亿元,增长率最高达65%,占LED应用市场的份额也由2012年的28%增加到2013年的34%;由于平板电脑的需求推动以及LED背光液晶电视的渗透率继续提高,背光应用也保持了较快增长,增长率约35%,产值达到390亿元。此外,LED汽车照明、医疗、农业等新兴照明领域的应用也增长明显,增长幅度超过25%,同时光通讯、可穿戴电子以及在航天航空等领域的应用也是2013年LED应用的亮点。

  LED的核心材料是镓(Ga)与砷(AS)、磷(P)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前,基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(InGaN)的是最具有商业应用价值的LED灯材料之一。2013年,我国芯片环节产值达到105亿元,增幅31.5%;产量增幅更是高达61%,其中GaN芯片的产量占比达65%,而以InGaAlP芯片为主的四元系芯片的产量占比为25%,GaAs等其他芯片占比为10%左右。

  据专家预测,2014年我国LED行业将延续2013年上升势头,迎来新一轮的增长,预计增长率将达到40%左右。全球LED照明的快速发展,必将会带动镓和铟等半导体金属需求的快速增长,也会带动越来越多的企业和个人关注铟和镓等稀有金属。作为全球铟、镓等稀有金属交易量和库存量最大的现货交易所,泛亚有色金属交易所在稀有金属行业内的优势地位也会逐渐凸显。